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反渗透设备的技术不断地发展进步,在设计上也越来越完善,但是清洗在反渗透设备日常运行中不可避免的。 反渗透膜正常运行一段时间后,反渗透膜元件会受到给水中可能存在的悬浮物或难溶盐的污染,这些污染中最常见的碳酸钙沉淀、硫酸钙沉淀、金属(如铁、锰、铜、镍、铝等)氧化物沉淀①→、硅沉积物、无机或有机沉积混合Ψ 物、天然有机物质、合成有机物(如:阻垢剂/分散剂,阳离子聚合电解质)、微生物藻类、霉菌、真菌等→污染。污染性质和污染速度★取决于各种因素,如给水水质和系统回收率。通常污染是渐进发展的,如不尽早控制,污染将会在相对较短的时间内损坏膜元件。当膜元件确证已被污染,或是临时停机之前,或是作为定期『日常维护,建议对膜元件○进行清洗。当反〖渗透系统(或装置)出现以下症状时,需要进行化学清洗或物理冲洗:正常给水压力下,产水量︾较正常值下降10-15%,为维持正常的产水量,经温度ζ 校正后的给水压力增加10-15%,产水水质降低10-15%,透盐率增加10-15%,给水压力增加1015%,系统各段之间压差明显增加。 已受污染的反渗透膜的清洗周』期根据现场实际情况而定。正常的清※洗周期是每3-12个月一次。当膜元件仅仅是发生了轻度污染时,重要的清洗膜元件。重度污染会因阻碍化学药剂深入渗透至污染层,影响清洗效果。 清洗何种污染物以及如何清洗ㄨ要根据现场污染情况而【进行。对于几种污染同时存在复杂情况,清洗方法是采用低PH和高PH清洗液交替清洗(应先低PH后高PH值清洗)污染物情况分析: (1)碳酸钙垢:碳酸钙垢是一「种矿物结垢。当阻垢剂/分散剂添加系统出现故◣障时,或是加酸pH调节系统出故障而引起给水pH增高时,碳酸钙垢有可※能沉积出来。尽早地检测碳酸钙垢,对于防止膜层表面沉①积的晶体损伤膜元件是极为必要的早期检测出的碳酸钙垢可由№降低给水的pH值至3-5运行1-2小时▆的方法去除。对于堆积时间长的碳酸钙垢,可用低pH值的柠檬酸溶液清洗去除。 (2)硫酸钙、硫酸钡、硫酸锶垢:硫酸盐垢是比碳酸钙垢硬很多的矿物质垢,且不易去除。硫酸盐垢可在阻垢剂/分散╲剂添加系统出现故障或加硫酸调节pH时沉积出来。尽早地→检测硫酸盐垢对于防止膜层表面沉积的晶体损伤膜元件是极为必要的硫酸钡和硫酸锶垢较难去除,因为它几乎在所有的清洗溶液中难以溶解,所以,应加以特别的注意以防止此类结垢的生成。 (3)金属氧︻化物/氢↑氧化物污染:典型的金⌒ 属氧化物和金属氢氧化物污染为铁、锌、锰、铜、铝等。这种垢的形成导因可能是装置管路、容器(罐/槽)腐蚀产物,或是空气中氧化的金属离子、氯、臭氧、钾、高锰酸盐,或是由在预处置过滤系统中使用铁或铝助凝剂〖所致。 (4)聚合硅垢:硅凝胶层垢由溶解性硅的过饱和态及聚合物所致,且▽非常难以去除。需要注意的这种硅的污染◎不同于硅胶体物的污染。硅胶体物污染可能是由与金属氢氧化物缔合或是与有机物缔合而造成的硅垢的去除很艰难,可采用传统的化学清〗洗方法。现有的化学清洗药剂,如氟化氢铵,已在一些项目上得到胜利的使用,但使用时须考虑此方法的操作危害和对设备的损坏,加以防⊙护措施。 (5)胶体污染:胶卐体是悬浮在水中的无机物或是有机与无机混合物△的颗粒,不会由于自□身重力而沉淀。胶体物通常含々有以下一个或多个主要组份,如:铁、铝、硅、硫或有机物。 (6)非溶性的天然有机物污染:非溶性天然有机物污染通常是由地表水或深井水▂中的营养物的分解而导致的有机污染的化学机理很复杂,主◤要的有机组份或是腐植酸,或是灰黄霉酸。非溶性天然有机物质被吸附到膜表面可造成RO膜元件的快速污染,一旦吸收作用发生♀,渐渐地结成凝胶或块状△的污染过程就会开始。 (7)微生物堆积:有∩机堆积物是由细菌粘泥、真菌、霉菌等生成的这种污染物较难去除□,尤其是给水通路被完全堵塞的情况下。给水通路堵塞会使清洁的进水难以充分均匀的进入膜元件内。为抑制这种沉积物的进一步生长,重要的不只要清洁ぷ和维护RO系统,同时还要清洁←预处理、管道及端头等。对膜元件采用氧化性杀菌时,使用认可的杀菌剂。清除污染物惯例█清洗液介绍 溶液1:2.0%W柠檬酸(C6H8O7低pH)pH值为3-4清洗液。以于去〗除无机盐垢(如碳【酸钙垢、硫酸钙、硫酸钡、硫酸锶垢』等)金属⌒ 氧化物/氢氧化物(铁、锰、铜、镍、铝等)及无↓机胶体十分有效。 溶液2:0.5%W盐酸低pH清洗液(pH为2.5)主要用于去除无机物垢(如碳酸钙垢、硫酸钙、硫酸钡、硫酸锶垢等)金属⌒ 氧化物/氢氧化物(铁、锰、铜、镍、铝等)及无机胶体。这种清洗液比溶液1要强烈些,因为盐酸为强酸。 溶液3:0.1%W氢氧化钠高pH清洗液(pH为11.5)用于去除聚合硅垢。这一洗液∮是一种较为强烈的碱性清洗液。 溶液4:氢氧化钠-EDTA四钠-六偏磷酸钠清洗〖液。 清洗步骤:先用杀菌剂如1227清洗,再用溶液1清洗,再用溶液4清洗,最后用▽水冲洗至中性,所用水应为反渗透产水。